Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).
Ж.И. АЛФЕРОВ: СТУДЕНТ, ПРОФЕССОР - НОБЕЛЕВСКИЙ ЛАУРЕАТ
10 октября 2000 г. Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).
Студент Жорес Алферов учился на факультете электронной техники и закончил его в 1952 г., получив диплом с отличием. Годы учебы Ж.И. Алферова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС - одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.
Еще в студенческие годы Ж.И. Алферов начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов. Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, и за него он получил первую в своей жизни научную премию - поездку на строительство Волго-Донского канала. Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.
После окончания ЛЭТИ
Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический
институт и стал работать в лаборатории В.М. Тучкевича. Здесь при участии Ж.И. Алферова
были разработаны первые советские транзисторы.
В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Ж.И. Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений -«сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах -позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
Своими открытиями Ж.И. Алферов заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Ж.И. Алферова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации CD-дисков и многое другое.
Под научным руководством Ж.И. Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.
Благодаря
фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах.
Светодиоды белого света благодаря своей высокой надежности и эффективности
рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят
традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией
электроэнергии.
К числу научных направлений, которые активно развивает Ж.И. Алферов, относится разработка лазеров на основе квантовых точек. Использование массивов таких квантовых точек позволяет снизить электропотребление лазеров, а также повысить стабильность их характеристик при увеличении температуры. Первый в мире лазер на квантовых точках создан группой ученых, работающих под руководством Ж.И. Алферова. Характеристики этих приборов постоянно улучшаются, и сегодня они по многим показателям превосходят все типы полупроводниковых лазеров.
Академик Ж.И. Алферов прекрасно понимает, что наука и образование неразделимы. Поэтому он целенаправленно формирует систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.
В 1973 г. академик
Ж.И. Алферов, используя непрекращающуюся тесную связь с ЛЭТИ, создает и
возглавляет на своем родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру
в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой становятся известные ученые.
Система подготовки научных кадров на базовой кафедре дала прекрасные результаты.
Когда в 2003 г. отмечалось тридцатилетие кафедры, то были приведены следующие
данные. За 30 лет кафедра выпустила около шестисот высококвалифицированных
специалистов, подавляющее большинство которых стало работать в ФТИ им.
А.Ф. Иоффе. Более четырехсот человек защитили кандидатские диссертации, свыше
тридцати - докторские, а Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и А.Е. Жуков стали
членами-корреспондентами РАН.
Организация кафедры оптоэлектроники явилась началом деятельности Ж.И. Алферова по созданию целостной образовательной структуры. В 1987 г. он создает физико-технический лицей, в 1988 г. — организует физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете, деканом которого он является. В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г. получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет -научно-образовательный центр нанотехнологий РАН. Входящие в него подразделения размещены в прекрасных зданиях, построенных благодаря усилиям Ж.И. Алферова.
Академик Ж.И. Алферов
делает все от него зависящее, чтобы поддержать международный авторитет российской
науки. По его предложению президент Российской Федерации своим указом установил
международную премию «Глобальная энергия», которая ежегодно присуждается троим российским
и иностранным ученым, внесшим выдающийся вклад в развитие энергетики.
По инициативе и под председательством Ж.И. Алферова проводится Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество». В рамках этого форума первая встреча Нобелевских лауреатов «Наука и прогресс человечества» состоялась в год трехсотлетия Санкт-Петербурга. В ней приняли участие 20 Нобелевских лауреатов в области физики, химии, физиологии и медицины, экономики. Начиная с 2008 г. встречи Нобелевских лауреатов стали ежегодными. Форум 2008 г. был посвящен нанотехнологиям. Форум 2009 г. Темой форума были информационные технологии. Тема форума 2010 г. - экономика и социология в XXI веке.
Академик Ж.И. Алферов
- крупнейший советский российский ученый, автор более 500 научных трудов,
свыше 50 изобретений. Его работы получили мировое признание, вошли в учебники.
Труды Ж.И. Алферова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными
премиями СССР и России, премией им. А.П. Карпинского (ФРГ), Демидовской
премией, премией им. А.Ф. Иоффе и золотой медалью А.С. Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской
премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна
Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями
СССР, России и зарубежных стран.
Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран. Он является почетным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почетным доктором и профессором его избрали ученые советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.
Все эти награды и звания заслуженно увенчали труд не только исследователя, но и организатора науки. Пятнадцать лет Ж.И. Алферов возглавлял прославленный Физико-технический институт А.Ф. Иоффе РАН. Вот уже более двадцати лет Жорес Иванович бессменный председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, главной задачей которого является координация научной деятельности всех петербургских академических институтов. Ж.И. Алферов - вице-президент РАН.
Профессор Быстров Ю.А.
Жорес Алферов – живая легенда отечественной науки. Ученый, открытия которого стали основой для создания современных электронных устройств. Наш мир уже невозможно представить без лазеров, полупроводников, светодиодов и оптоволоконных сетей. Все это стало доступно человечеству благодаря изобретениям Жореса Алферова и воспитанных им молодых ученых.
Заслуги российского (в прошлом – советского) физика высоко отмечены во всех уголках Земли и даже в космосе. Астероид (3884) Alferov носит имя лауреата Нобелевской премии, академика РАН и почетного члена международных научных сообществ.
Детство и юность
Детство ученого выпало на тяжелые годы. Мир сильно изменился с тех пор, как в семье коммунистов Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм родился младший сын. Старшего сына родители назвали Марксом (он погиб в последние дни Корсунь-Шевченковской битвы), а младший получил имя в честь Жана Жореса, вождя французских социалистов.
Семья Жореса Алферова: родители и брат
Родившийся 15 марта 1930 года в Витебске ребенок до войны успел исколесить вместе с родителями стройки Сталинграда, Новосибирска, Барнаула и Сясьстроя. Если бы семья Алферовых осталась жить в Белоруссии, то мировая наука могла бы понести огромную утрату, так и не узнав о нем. Национальность Анны Розенблюм стала бы причиной гибели и матери, и сына от рук нацистов.
Годы Второй мировой войны семья жила в Свердловской области, но нормально учиться в школе будущему ученому в это время не довелось. Однако по возвращении в Минск Жорес быстро наверстал упущенное время. Школу закончил с золотой медалью. Сейчас эта школа называется гимназией №42 и носит имя знаменитого ученика.
Учитель физики Яков Борисович Мельцерзон заметил способности юноши и рекомендовал поступать на энергетический факультет Белорусского Политеха. Определившись с кругом научных интересов, Алферов перевелся в ЛЭТИ. В 1952 году начал научную карьеру.
Наука
Выпускник мечтал работать в Физтехе под руководством Абрама Федоровича Иоффе. Физико-технический институт был в послевоенное время легендой. В шутку его именовали «детским садом Иоффе» - именно там росли молодые , и . Там Жорес Иванович стал частью команды, создавшей первые советские транзисторы.
Транзисторы стали темой для кандидатской диссертации молодого ученого. Впоследствии Жорес Иванович переключился на изучение гетероструктур (искусственных кристаллов) и движением в них света и других видов излучения. В его лаборатории работали с лазерами, уже в 1970 году там создали первые в мире солнечные батареи. Ими оснащали спутники, они снабжали электроэнергией орбитальную станцию «Мир».
Занятия прикладной наукой шли параллельно с преподавательской работой. Жорес Иванович писал книги и статьи. Руководил кафедрой оптоэлектроники и лично отбирал студентов. Увлеченные физикой школьники посещали его ежегодные курсы лекций «Физика и жизнь».
Сейчас при Академическом университете, бессменным ректором которого является Жорес Алферов, действует лицей «Физико-техническая школа». Лицей является нижней ступенью научно-образовательного учреждения, в который входит и мощный научно-исследовательский центр. Академик видит в лицеистах будущее российской науки.
«Будущее России - наука и технологии, а не распродажа сырья. И будущее страны не за олигархами, а за кем-то из моих учеников».
Эта цитата из публичного выступления Жореса Ивановича раскрывает веру ученого в победу пытливого разума над желанием обогащения.
Личная жизнь
Возможно, первым научным успехам ученого поспособствовала неудача в личной жизни. Первый брак Жореса Ивановича распался со скандалом. Красавица жена с помощью влиятельных грузинских родственников отсудила у мужа при разводе ленинградскую квартиру. В собственности Алферова остались лишь мотоцикл и раскладушка, на которой он ночевал в лаборатории. Разрыв отношений привел к полной потере отношений отца с дочерью.
Вторично ученый женился только в 1967 году, и этот брак выдержал испытание временем. Вместе с Тамарой Дарской Жорес воспитал ее дочь Ирину и общего сына Ивана. Рождение сына совпало с другим событием в биографии - получением Ленинской премии. Дети давно выросли, Жорес Иванович успел стать дедушкой. У него два внука и внучка.
Последние годы
Авторитет ученого в мировой науке опирается на более 500 научных работ и почти сотню изобретений. Но деятельность Нобелевского лауреата не ограничивалась физикой. Летом 2017 года в стенах Самарского университета академик прочитал открытую лекцию на тему: «Альберт Эйнштейн, социализм и современный мир», где раскрыл вопросы взаимодействия ученых и правителей.
В своих выступлениях ученый называл положение науки в России ужасающим и отстаивал права РАН на самоуправление и достойное финансирование. Ученый считал, что государство должно обеспечивать граждан бесплатной медициной, образованием и жильем, а в противном случае эта структура бесполезна.
Жорес Иванович принимал непосредственное участие в управлении государством. Еще в 1989 году его выбрали народным депутатом СССР от Академии Наук. С тех пор академик постоянно избирался в российскую Думу, активно отстаивая интересы ученых и простых граждан.
В августе 2017 года журнал Форбс включил Жореса Алферова в сотню самых влиятельных россиян последнего столетия. Несмотря на солидный возраст, нобелевский лауреат на видеозаписях и фото выглядел бодрым и уверенным в себе.
Смерть
2 марта 2019 года Жорес Алферов в возрасте 88 лет. Как рассказал журналистам главврач больницы Российской академии наук Олег Чагунава, причиной смерти нобелевского лауреата стала острая сердечно-легочная недостаточность. Накануне Алферов несколько месяцев наблюдался у медиков с жалобой на гипертонию.
Организацию похорон прославленного физика взяла на себя КПРФ.
Награды и достижения
- 1959 - Орден «Знак Почёта»
- 1971 - Медаль Стюарта Баллантайна (США)
- 1972 - Ленинская премия
- 1975 - Орден Трудового Красного Знамени
- 1978 - Хьюллет-Паккардовская премия (Европейское физическое общество)
- 1980 - Орден Октябрьской Революции
- 1984 - Государственная премия СССР
- 1986 - Орден Ленина
- 1987 - Золотая медаль Генриха Велкера (Симпозиум по GaAs)
- 1989 - Премия имени Карпинского (ФРГ)
- 1993 - XLIX Менделеевский чтец
- 1996 - Премия имени А. Ф. Иоффе (РАН)
- 1998 - Почетный доктор СПбГУП
- 1999 - Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени
- 1999 - Демидовская премия (Научный Демидовский фонд)
- 1999 - Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН)
- 2000 - Нобелевская премия (Швеция)
- 2000 - Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени
- 2000 - Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество Америки)
- 2001 - Орден Франциска Скорины (Беларусь)
- 2001 - Премия Киото (Япония)
- 2001 - Премия В. И. Вернадского (Украина)
- 2001 - Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда»
- 2002 - Государственная премия Российской Федерации
- 2002 - Золотая медаль SPIE
- 2002 - Награда «Золотая тарелка» (США)
- 2003 - Орден князя Ярослава Мудрого V степени (Украина)
- 2005 - Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени
- 2005 - Международная энергетическая премия «Глобальная энергия»
- 2008 - Звание и медаль Почётного профессора МФТИ
- 2009 - Орден Дружбы народов (Беларусь)
- 2010 - Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени
- 2010 - Медаль «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» от ЮНЕСКО
- 2011 - Звание «Почётный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета»
- 2013 - Международная премия Карла Боэра
- 2015 - Орден Александра Невского
- 2015 - Золотая медаль имени Низами Гянджеви (Азербайджан)
- 2015 - Звание «Почётный профессор МИЭТ»
российский физик, лауреат Нобелевской премии 2000 года. р. 1930
Жорес Иванович Алфёров родился в белорусско-еврейской семье Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм в белорусском городе Витебске. Имя получил в честь Жана Жореса, международного борца против войны, основателя газеты «Юманите». После 1935 года семейство переехало на Урал, где отец работал директором целлюлозно-бумажного завода. Там Жорес учился с пятого по восьмой класс. 9 мая 1945 года Иван Карпович Алфёров получил направление в Минск, где Жорес окончил среднюю школу с золотой медалью. По совету учителя физики поехал поступать в Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина), куда был принят без экзаменов. Он учился на факультете электронной техники.
Со студенческих лет Алфёров участвовал в научных исследованиях. На третьем курсе он пошел трудиться в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там он начал экспериментальную работу под руководством Н.Н. Созиной. Так, в 1950 году полупроводники стали главным делом его жизни.
В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, Алфёров был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. В первой половине 50-х годов перед институтом была поставлена проблема создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную индустрию. Перед лабораторией, в которой Алфёров работал младшим научным сотрудником, стояла задача: приобретение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. Алфёров участвовал в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. За комплекс проведенных работ в 1959 году он получил первую правительственную награду, в 1961 году им была защищена кандидатская диссертация.
Будучи кандидатом физико-математических наук, Алфёров мог перейти к разработке собственной темы. В те годы была высказана мысль использования в полупроводниковой технике гетеропереходов. Создание совершенных структур на их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике. Однако попытки реализовать приборы на гетеропереходах не давали практических результатов. Причина неудач крылась в трудности создания близкого к идеальному перехода, выявлении и получении необходимых гетеропар. Во многих журнальных публикациях и на различных научных конференциях неоднократно говорилось о бесперспективности проведения работ в этом направлении.
Алфёров продолжал технологические исследования. В основу их им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие влиять на фундаментальные параметры полупроводника: ширина запрещенной зоны, размерность электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель преломления внутри единого монокристалла. Ж.И. Алфёров с сотрудниками создали не только гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, но полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило еще и кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и сформировать принципиально новые, в особенности перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Новый период исследований гетеропереходов в полупроводниках Жорес Иванович обобщил в докторской диссертации, которую защитил в 1970 году.
Работы Ж.И. Алфёрова были по заслугам оценены международной и отечественной наукой. В 1971 году Франклиновский институт (США) присуждает ему престижную медаль Баллантайна, называемую «малой Нобелевской премией» и учрежденную для награждения за лучшие работы в области физики. В 1972 году следует самая высокая награда СССР – Ленинская премия.
С использованием технологии Алфёрова в России (впервые в мире) было организовано изготовление гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.
На основе работ Алфёрова и его сотрудников созданы полупроводниковые лазеры, работающие в широкой спектральной области. Они нашли широкое использование в качестве источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.
С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. В 1993–1994 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году Ж.И. Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с широким диапазоном применения, известной ныне как «зонная инженерия».
В 1972 году Алфёров стал профессором, а через год – заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ. С 1987 по май 2003 года – директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе, с мая 2003 по июль 2006 года – научный руководитель. С момента основания в 1988 году декан физико-технического факультета СПбГПУ.
В 1990–1991 годах – вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра. Академик АН СССР (1979 год), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Главный редактор «Писем в Журнал технической физики». Был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников».
10 октября 2000 года по всем программам российского телевидения сообщили о присуждении Ж.И. Алфёрову Нобелевской премии по физике за 2000 год за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники. Современные информационные системы должны отвечать двум основополагающим требованиям: быть скоростными, чтобы громадный объем информации можно было передать за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы уместиться в офисе, дома, в портфеле или кармане. Своими открытиями Нобелевские лауреаты по физике за 2000 год создали основу таковой современной техники. Они открыли и развили быстрые опто– и микроэлектронные компоненты, которые создаются на базе многослойных полупроводниковых гетероструктур. На основе гетероструктур созданы мощные высокоэффективные светоизлучающие диоды, используемые в дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые обширно используются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.
С 2003 года Алфёров председатель научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН. Часть своей Нобелевской премии Алфёров отдал на развитие научно-образовательного центра физико-технического института. «В центр приходят еще школьниками, учатся по углубленной программе, потом – институт, аспирантура, академическое образование, – рассказывает член президиума РАН, академик, директор Института радиотехники и электроники Юрий Гуляев. – Когда из страны валом начали уезжать ученые, а выпускники школ почти поголовно стали предпочитать бизнес образованию и науке – возникла страшная опасность, что знания старшего поколения ученых некому будет передать. Алфёров нашел выход и буквально совершил подвиг, создав эту своего рода теплицу для будущих ученых».
22 июля 2007 года было опубликовано «Письмо десяти академиков» («письмо десяти» или «письмо академиков») – открытое письмо десяти академиков РАН (Е. Александрова, Ж. Алфёрова, Г. Абелева, Л. Баркова, А. Воробьёва, В. Гинзбурга, С. Инге-Вечтомова, Э. Круглякова, М. Садовского, А. Черепащука) «Политика РПЦ МП: консолидация или развал страны?» Президенту России В. В. Путину. В письме выражена обеспокоенность «все возрастающей клерикализацией российского общества, активным проникновением церкви во все сферы общественной жизни», в частности в систему государственного образования. «Верить или не верить в Бога – дело совести и убеждений отдельного человека, – пишут академики. – Мы уважаем чувства верующих и не ставим своей целью борьбу с религией. Но мы не можем оставаться равнодушными, когда предпринимаются попытки подвергнуть сомнению научное Знание, вытравить из образования материалистическое видение мира, подменить знания, накопленные наукой, верой. Не следует забывать, что провозглашенный государством курс на инновационное развитие может быть осуществлён лишь в том случае, если школы и вузы вооружат молодых людей знаниями, добытыми современной наукой. Никакой альтернативы этим знаниям не существует».
Письмо вызвало огромную реакцию во всем обществе. Министр образования заявил: «Письмо академиков сыграло положительную роль, поскольку вызвало широкую общественную дискуссию, ряд представителей РПЦ придерживается такого же мнения». 13 сентября 2007 года президент России В.В. Путин заявил, что изучение в государственных школах предметов религиозной тематики нельзя делать обязательным, ибо это противоречит российской конституции.
В феврале 2008 года было опубликовано Открытое письмо представителей научной общественности к президенту РФ в связи с планами введения в школах курса «Основы православной культуры» (ОПК). К середине апреля письмо подписали более 1700 человек, из которых более 1100 имеют ученые степени (кандидаты и доктора наук). Позиция подписавшихся сводится к следующему: введение ОПК неизбежно приведет к конфликтам в школах на религиозной почве; для реализации «культурных прав» верующих нужно использовать не общеобразовательные, а уже имеющиеся в достаточных количествах воскресные школы; теология, она же богословие, не является научной дисциплиной.
С 2010 года – сопредседатель Консультативного научного Совета фонда «Сколково». Инновационный центр «Сколково» (российская «Кремниевая долина») – строящийся современный научно-технологический комплекс по разработке и коммерциализации новых технологий. В составе фонда «Сколково» существует пять кластеров, соответствующих пяти направлениям развития инновационных технологий: кластер биомедицинских технологий, кластер энергоэффективных технологий, кластер информационных и компьютерных технологий, кластер космических технологий и кластер ядерных технологий.
С 2011 – депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 6 созыва от партии КПРФ.
Учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодёжи, содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алфёровым из средств Нобелевской премии.
В своей книге «Физика и жизнь» Ж.И. Алфёров, в частности, пишет: «Все, что создано человечеством, создано благодаря науке. И если уж суждено нашей стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или Президента, а благодаря труду ее народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и развитию научного потенциала и образования».
О нобелевском лауреате, ушедшем от нас всего пять дней назад, об академике и депутате, открытия которого есть в каждом современном гаджете, рассказывает наш внеочередной выпуск рубрики «Как получить Нобелевку».
Сегодняшний выпуск нашей рубрики, наверное, самый сложный для меня. Во-первых, сегодня я пишу о человеке, которого знал лично. Во-вторых, сегодня я пишу о человеке, с которым спорил – пусть и заочно. В-третьих, этот человек умер пять дней назад. Непросто, правда.
При этом многие СМИ уже успели отметиться в материалах о Жоресе Алферове, написав «умер последний российский нобелевский лауреат». Это совсем не так. Во-первых, конечно же, живы Андрей Гейм и Константин Новоселов. Во-вторых, даже если говорить о тех, кто живет в России – то не нужно забывать и гражданина нашей страны Михаила Сергеевича Горбачева, лауреата Нобелевской премии мира 1990 года, пусть и имеющего недвижимость в Европе, в нашей стране проводящего тоже весьма много времени.
Давайте же попробуем рассказать о Жоресе Алферове так, как если бы мы писали о любом другом лауреате Нобелевской премии.
Жорес Иванович Алферов
Нобелевская премия по физике 2000 года (1/4 премии, совместно с Гербертом Кремером, вторую половину получил Джек Килби за создание интегральной микросхемы). Формулировка Нобелевского комитета: «За разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике» (For developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and optoelectronics).
Наш герой родился в белорусско-еврейской семье в областном центре - Витебске. Иван Карпович Алферов и Анна Владимировна Розенблюм познакомились на родине мамы Алферова - в 1920-х годах бывший унтер-офицер 4-го гусарского лейб-гвардии Мариупольского полка уже служил уполномоченным ВЧК на пограничной заставе городка Крайск Логойского района Минской области (сейчас там живет всего три с половной сотни человек). И квартировал в доме родителей Анны Владимировны - со всеми вытекающими последствиями.
Родители нашего героя были людьми своего времени - увлекающимися, искренне верящими в идеалы социализма. И двух сыновей они назвали по фамилиям своих кумиров: в честь главного социалиста всех времен и народов Карла Маркса - старшего, и в честь французского социалиста, основателя газеты L"Humanite (советские люди хорошо помнят слово «Юманите») Жана Жореса - младшего. Имя довлело над Жоресом Алферовым всю жизнь - по убеждениям нобелевский лауреат всегда оставался близок к своему «французскому ангелу».
Увы, старшему было отпущено всего два десятка лет жизни – в 1944 году Маркс Иванович Алферов погиб на фронте, в Корсунь-Шевченковской операции. Младший возрастом не вышел для фронта, а семья к тому времени переехала в Туринск Свердловской области.
После войны Алферов приехал в Минск, где окончил с золотой медалью среднюю школу номер 42. Учитель физики Яков Мельцерзон дал добрый совет: поучиться пару семестров в Минском политехе. Так Алферов и сделал, а затем поступил без экзаменов уже в Ленинградский электротехнический институт - в знаменитый ЛЭТИ, который и окончил в 1952 году. В год смерти Сталина наш герой пришел на работу в знаменитый ленинградский Физтех, где стал младшим научным сотрудником в лаборатории академика Владимира Тучкевича. Впрочем, в 1953 году Тучкевич не был еще членкором, зато начинал создавать отечественные полупроводниковые транзисторы, не так давно открытые Бардиным и Шокли.
Владимир Тучкевич
Wikimedia Commons
Нельзя сказать, что именно тогда полупроводники вошли в жизнь будущего директора ФТИ имени А. Ф. Иоффе: вроде бы первые эксперименты с полупроводниковыми пленками он начал проводить еще студентом.
Удивительное дело: свою «нобелевскую» работу Алферов сделает через десять лет после начала самостоятельной научной деятельности. Но в 1953 году того устройства, которое побудит молодого физика выполнить ее, еще не было даже в помине. А семь лет спустя в лаборатории американца Теодора Маймана заработает первый в истории лазер. Правда, Нобелевскую премию за него получат другие: принципы, на которых работают лазеры и мазеры, откроют наши соотечественники Александр Прохоров и Николай Басов вместе с американцем Чарльзом Таунсом.
Лазер стал «решением, которое ищет себе задачу». Но на первых порах лазеры были громоздкими. Рабочим телом, местом, где возникало когерентное излучение, был либо кристалл рубина, либо газ. Сделать лазеры компактными смогли полупроводники, в которых область генерации лазерного излучения занимает несколько микрометров. Первые лазеры на основе p-n перехода были нестабильными и работали при температуре почти в -200 градусов Цельсия. И вот в 1963 году одновременно Жорес Алферов в СССР и Герберт Кремер в Германии предложили заменить p-n переход «сэндвичем» из разных слоев полупроводников - гетероструктурами.
Теоретические исследования гетеропереходов проводили и другие ученые во всем мире, однако считалось, что реально создать такую структуру просто невозможно. Дело в том, что для этого необходимо было подобрать два полупроводника с практически одинаковыми параметрами кристаллической решетки. Большинство ученых скептически относились к этой идее. Жорес Иванович не оставлял попыток найти такую идеальную пару и, наконец, в 1963 году создал технологию (жидкофазную эпитаксию – «напыление» кристалла на подложке) для формирования гетероперехода. Еще через несколько лет, в 1968 году, Алферов создал первый лазер на основе гетероперехода. Полупроводниковые гетеролазеры стали основой новой области физики – оптоэлектроники. С помощью этой технологии стало возможным создание оптоволоконных линий с огромной пропускной способностью. За разработку гетеролазера Жорес Иванович получил престижную награду – медаль Баллантайна.
Теперь алферовские лазеры и светодиоды есть везде - в лазерной указке, в мобильных телефонах, в компьютерах… Нобелевской премии пришлось ждать 37 лет. В 2000 году Шведская королевская академия наук удостоила Нобелевской премией физиков, ставших основателями современной информационной техники. Половину премии «За фундаментальные работы, заложившие основы современных информационных технологий посредством создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в cсверхвысокочастотной и оптической электронике» разделили Жорес Алферов и Герберт Кремер. На рубеже тысячелетий стало очевидно, что будущее информационных систем за компактными и быстрыми устройствами, которые позволяет передавать огромное количество информации за короткий промежуток времени. Созданные Алферовым и Крамером за полвека до этого быстродействующие опто- и микроэлектронные устройства на базе полупроводниковых гетероструктур как нельзя лучше удовлетворяли этим условиям. Быстродействующие транзисторы, лазерные диоды для систем передачи информации в оптоволоконных сетях сегодня составляют основу компьютерных технологий, а светоизлучающие диоды на основе гетероструктур все активнее замещают лампы накаливания.
Группа Ж.И.Алферова (слева направо): Дима Гарбузов, Слава Андреев, Володя Корольков, Дима Третьяков и Жорес Алферов, после получения Ленинской премии (1972 г.)
Вячеслав Андреев, заведующий лабораторией фотоэлектрических преобразователей ФТИ имени А. Ф. Иоффе РАН
Треть награды Жорес Алферов сразу же перечислил в созданный им Фонд поддержки образования и науки, на часть денег купил квартиру (раньше его семья жила в служебной).
Хотя разработанные им технологии широко используются в электронике – от дисководов компьютера до автомобильных фар – у самого Алферова долгое время не было мобильного телефона, пока его не подарили коллеги из физико-технического университета.
Алферов был разным. Физик очень активно участвовал в общественно-политической жизни страны. В 1990-1991 годах ученый занимал пост вице-президента Академии наук СССР. С 2010 года он был сопредседателем Консультативного совета Фонда «Сколково». В 2013 году Алферов баллотировался на пост Президента РАН, заняв в голосовании второе место. Был он и народным депутатом СССР, а позднее – депутатом Госдумы (сначала от НДР, потом от КПРФ). Под стать своему социалистическому имени, он всю жизнь придерживался коммунистических взглядов (в партии КПСС состоял с 1965 года). Алферов осуждал социальное неравенство, верил, что наука в СССР была выстроена очень эффективно, и сетовал, что если бы не распад Советского Союза, «то айфоны и айпады сейчас выпускали бы у нас».
В 2010 году ученого даже предлагали выдвинуть в президенты как единого кандидата от правой и левой оппозиции. Он мог одновременно входить в комитет по получению премии «Глобальная энергия» и получить эту высокую награду, мог критиковать власть - и быть депутатом Госдумы почти четверть века. Он был таким, какими были, пожалуй, все нобелевские лауреаты - не вписывающимся в рамки, а еще - полностью соответствующим завещанию Альфреда Нобеля: принесшим максимум пользы всему человечеству.
О работе и взглядах Жореса Алферова вспоминает Роберт Сурис, академик РАН, заведующий лабораторией ФТИ им А.И. Иоффе РАН:
«Чтобы быть успешным научным работником, необходим спортивный азарт, и у Жореса Ивановича его было в избытке. Другое необходимое качество – это умение напряженно работать, причем получать от этого удовольствие, и у него это качество было замечательно развито. Еще одно умение – увидеть, куда двигаться, и для этого необходим научный бэкграунд. Но быть «кабинетным» ученым, который только сидит среди книг в своей шапочке, для этого недостаточно, надо быть инженером, иметь представление о применениях научных результатов. Жорес Иванович получил на самом деле инженерное образование в Ленинградском электротехническом институте и всегда умел ухватить, что впереди, определить направление.
Еще одно качество – не бояться рисковать. Не бояться ввязываться в большие проекты, и учреждать их. Для этого нужна смелость, и, как говорил сам Жорес Иванович, нужно верить в свою удачу. Он был удачлив! В исследования гетеропереходов, которые в конечном итоге привели к Нобелевской премии, Жорес увлек за собой несколько человек. А это было самое начало. И от лидера, который в это вовлекает людей, за которым идут, требовалось твердо верить в успех. И у него такая вера была, была уверенность в результате, в том, что он продолжит быть «паровозом» всей работы, что люди, которые ему доверились, не прогадают. Еще одна иллюстрация этого качества – симпозиум Nanostructures: Physics and Technology, который Жорес Иванович организовал впервые в 1993 году. Это был чуть ли не первый в мире симпозиум по наноструктурам. Меня он тогда мобилизовал быть программным председателем, а председателями симпозиума были сам Жорес Иванович и Лео Эсаки, который уже был нобелевским лауреатом. И симпозиум получился и пользуется большой популярностью до сих пор. Другим невероятным предприятием в эти тяжелые годы было создание академического университета с лицеем при нем. Это была его инициатива, решить эту задачу было почти невозможно, но ему удалось! Сказались вера в удачу, напор, умение общаться с людьми. В тех условиях это было чудо.
Для нас для всех плохо, что он ушел. Еще лет 15 назад кое-кто говорил, что наука нам не нужна, что технологии мы купим, не понимая, что уровень страны определяется уровнем науки, которая в ней делается. Об этом он не раз говорил, горячо выступал. И эти выступления даже в те времена, когда науку считали ненужной, были очень важными. И еще – Жорес Иванович хорошо знал, что для полупроводниковых дел необходима промышленность, и что ее потеря отрицательно сказывается на развитии науки, ведь все исследования должны быть востребованы. Многие научные результаты возникают в ответ на технические вызовы. И он непрерывно говорил об этом, пытался создать это понимание у высокого начальства. Его авторитет для академии и для науки вообще у нас в стране был очень важен».